TRANSPORTE DE ELÉTRONS DE CONDUÇÃO NO SEMICONDUTOR 4H-SiC SUBMETIDO A CAMPOS ELÉTRICOS

Entre os vários politipos do carbeto de silício ( -SiC), o 4H-SiC é reconhecido como semicondutor mais atraente para operação em dispositivos eletrônicos alta potência, frequência e temperatura devido a seu maior gap mobilidade portadores que outros politipos. Neste artigo foram determinados deslocamento velocidade dos elétrons condução no na forma dopado tipo . O transporte foi obtido utilizando uma equação diferencial movimento baseada lei força com adaptações quânticas, obtendo-se função da intensidade direção campo elétrico aplicado temperatura. Foi constatado um aumento linear diminuição não mesma A ocorre quando perpendicular ao eixo cristalico “ ” cristal 4H-SiC.